Российская компания, являющаяся резидентом ОЭЗ «Технополис Москва», представила первый в стране фотолитограф с разрешением 350 нм.
«В мире меньше десяти стран, способных создавать это ключевое оборудование для производства микросхем. Теперь в их числе — Россия. Это важнейший шаг к переходу на собственное производство микроэлектроники и достижению полной технологической независимости государства», — официальное заявление.
Мэр Москвы также отметил, что разработка фотолитографа велась совместно с белорусским заводом, имеющим значительный опыт в этой области. Российский фотолитограф значительно отличается от зарубежных аналогов. В частности, впервые в качестве излучения в устройстве используется мощный и энергоэффективный твердотельный лазер, а не традиционная ртутная лампа, как у иностранных решений.
Кроме того, важно, что для российского фотолитографа уже нашелся первый заказчик. Сейчас специалисты работают над адаптацией технологических процессов под нужды клиента.
Также, по словам господина Собянина, российские инженеры уже приступили к разработке фотолитографа с разрешением 130 нанометров. Планируется, что проект будет завершён в 2026 году.
